碳化硅(SiC)涂层石墨基座为MOCVD设备关键部件

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我国MOCVD设备供应商有中微公司、中晟光电、广东昭信等,近年来,随着蓝光LED产能向中国大陆转移,MOCVD设备市场需求旺盛,SiC涂层石墨基座作为其核心部件之一,市场需求空间随之扩大

碳化硅(SiC)涂层石墨基座是一种复合结构材料,由石墨基座(石墨材料作为基础承载体)、碳化硅(SiC)表面涂层组成。SiC涂层石墨基座具有耐高温、耐腐蚀、抗溶蚀、抗氧化等优异性能,特别适用于高温、磨损性、腐蚀性等极端环境中,在半导体、光电子等领域应用广泛。

根据新思界产业研究中心发布的《2024-2029年中国碳化硅(SiC)涂层石墨基座行业市场深度调研及发展前景预测报告》显示,SiC涂层石墨基座是金属有机物化学气相沉积(MOCVD)设备的核心关键部件及耗材,具有支撑载体、材料界面特性控制、加热单晶衬底、抗氧化保护、降低杂质污染等作用,影响着外延材料的生长质量。

MOCVD设备具有生长速率可控、操作简单等优势,是氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)等化合物半导体单晶衬底外延生长的关键设备。我国MOCVD设备供应商有中微公司、中晟光电、广东昭信等,近年来,随着蓝光LED产能向中国大陆转移,MOCVD设备市场需求旺盛,SiC涂层石墨基座作为其核心部件之一,市场需求空间随之扩大。

碳化硅(SiC)具有化学稳定性高、耐腐蚀、高热导率、热膨胀系数与石墨相近等特点,是石墨基座表面涂层的首选材料。SiC根据结构不同又称为α-SiC、β-SiC两大类,其中β-SiC耐腐蚀性更优异,在石墨基座表面涂层中应用价值更高。

SiC涂层石墨基座的涂层制备方法多样,包括等离子喷涂法、浆料涂覆烧结法、电泳沉积法、涂刷法、化学气相沉积法(CVD法)等。其中CVD法技术成熟,更容易实现商业化,是制备SiC涂层的理想选择。

SiC涂层石墨基座行业进入壁垒极高,具体体现在制造技术垄断、开发验证环节长、进入供应链难度大等方面。在国际上市场上,SiC涂层石墨基座主要供应商有荷兰Xycarb、德国Sgl Carbon(SGL)、美国MEMC、日本东洋碳素等。

2017年之前,我国SiC涂层石墨基座市场需求主要依赖进口,为避免半导体行业卡脖子风险,近年来,我国SiC涂层石墨基座国产替代趋势显现。我国SiC涂层石墨基座供应商有湖南德智新材料有限公司(德智新材)、深圳市志橙半导体材料有限公司、浙江六方半导体科技有限公司等。

新思界行业分析人士表示,SiC涂层石墨基座是MOCVD设备的核心部件和重要耗材,其国产化发展,对我国半导体产业发展具有重要意义。目前我国已实现SiC涂层石墨基座技术突破,生产规模也不断扩大,但在制造工艺水平、产品品质等方面与国际领先水平相比仍存在一定差距,未来国产SiC涂层石墨基座仍有较大提升空间。

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       原文标题 : 【聚焦】碳化硅(SiC)涂层石墨基座为MOCVD设备关键部件 未来市场增量空间广阔

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