芝能智芯出品
碳化硅（SiC）作为第三代半导体的核心材料，凭借其优异的物理特性，在新能源汽车、光伏储能和5G通信等领域展现出广阔的应用前景。
2024年，国内SiC衬底和外延市场经历了显著的价格波动与产能扩张，尤其6英寸SiC衬底价格已贴近成本线，8英寸技术突破加速推进。与此同时，市场竞争加剧，价格下降动力来源于下游需求驱动和国产供应商的内卷竞争。
本文从SiC外延和衬底市场的基本情况、价格下降的驱动因素两个维度展开分析，并探讨未来发展趋势。
2025年SiC市场将进入洗牌阶段，具备技术、资金和产业链协同优势的企业有望脱颖而出，而价格趋于稳定后，行业将迈向高质量发展的全新阶段。
Part 1
SiC外延和衬底：
市场基本情况、整体进度
与产能扩建速度
● 碳化硅衬底和外延技术是SiC器件制造的核心环节。
衬底为外延生长提供基础，外延层则直接决定了器件性能，如耐压能力和缺陷率。国内市场同样表现强劲，截至2024年3月，全国SiC外延片年产能已接近200万片，规划总产能超过700万片，产业规模化发展的迅猛势头。
◎ 在衬底领域，6英寸SiC衬底仍是市场主流，占据主导地位。
2024年底，国内6英寸SiC MOS衬底价格已降至2500-2800元人民币，全年降幅超过40%，接近成本线。天岳先进凭借技术优势仍维持2800-3000元的国内售价，出口价格则保持在3000元以上。
与此同时，8英寸衬底研发和量产进度显著加快，国内企业如天岳先进、晶盛机电等已实现技术突破，月产能预计在2025年达到1万-1.5万片。
8英寸衬底的均匀性和良率仍与6英寸存在差距，短期内难以完全替代后者，6英寸衬底预计至少在未来三年内保持竞争力。
◎ 外延技术方面，化学气相沉积（CVD）为主流工艺，国内企业如瀚天天成、天域半导体已实现6英寸和8英寸外延片的量产。
核心参数如外延层厚度和掺杂浓度直接影响器件性能，例如1200V器件需要10-15μm外延层，而高压器件（15000V）则需145μm以上。
缺陷控制仍是技术瓶颈，微管、基面位错（BPD）等问题对器件可靠性构成挑战。
设备层面，晶盛机电、北方华创等国产厂商正加速替代国际巨头Aixtron和LPE的垄断地位，推动设备国产化率逐步提升。
● 国内SiC产业在技术研发和产业化方面均取得显著进展。
◎ 6英寸衬底和外延技术已相对成熟，良率和成本控制能力不断提升，
◎ 而8英寸技术的突破则成为行业焦点。
相比海外玩家（如Wolfspeed、II-VI）在8英寸量产上的延迟，国内企业展现出更快的推进速度。8英寸技术仍面临均匀性不足和高成本问题，短期内难以实现大规模商业化应用。
● 从应用端看，新能源汽车是SiC市场增长的核心驱动力。◎ 国外龙头的6并碳化硅模块价格已降至2000元以内，◎ 国产6并模块价格更低至1500元左右，SiC器件在终端市场的渗透加速。国内SiC产能扩张速度迅猛，地方政府和资本市场的支持进一步助推了产业布局。产能快速扩张也带来了市场内卷。2025年SiC衬底市场将进入淘汰阶段，中小型企业因缺乏资金和技术优势面临出局风险，而具备产业链协同能力的龙头企业将占据更大市场份额。
Part 2
SiC衬底和模块
价格下降的动力
SiC衬底和模块价格下降的首要动力来源于下游市场的强劲需求。新能源汽车作为SiC器件最大的应用领域，对成本敏感度极高。随着电动车渗透率提升，车企对SiC模块的采购规模迅速扩大，推动供应商通过规模效应降低成本。
头部车企已与外延厂商建立深度合作，批量采购进一步压低了单价。国外龙头6并SiC模块价格跌破2000元，国产模块低至1500元，正是下游需求倒逼的结果。
光伏逆变器和储能系统对SiC器件的需求也在快速增长。SiC器件的高效率和耐高温特性使其在新能源领域具有不可替代的优势。随着“双碳”政策的推进，光伏装机量持续攀升，带动SiC衬底和外延片的出货量增加，摊薄了固定成本，进而拉低了价格。
国内SiC衬底市场的激烈竞争是价格下降的另一关键因素，国产供应商大幅扩产，市场供应量激增，导致价格战愈演愈烈。
以6英寸SiC衬底为例，全年价格降幅超40%，从年初的4000-4500元跌至2500-2800元，已接近成本线，中小厂商为抢占市场份额，不惜以低价策略挤压对手生存空间。这种内卷竞争虽然短期内加剧了行业洗牌，却也加速了SiC技术的普及和成本下降。
在外延市场，国产化设备和工艺的进步进一步推动了价格下行，随着8英寸设备逐步验证成功，未来外延片的单价有望从2020年的128元/平方厘米降至2045年的71元/平方厘米，成本下降趋势将延续。
技术进步是SiC价格下降的内在驱动力。随着衬底生长工艺（如物理气相传输法PVT）和外延CVD技术的优化，晶体缺陷率逐步降低，良率显著提升。
例如，6英寸衬底的微管密度已从早期的10个/cm²降至1个/cm²以下，生产效率和产品质量双双提高。大尺寸化趋势进一步降低了单位成本，8英寸衬底理论上可将器件制造成本降低60%，尽管当前良率仍需优化。
规模效应也在价格下降中发挥了重要作用。国内SiC企业通过扩产和产业链整合摊薄了研发与设备投入成本。垂直整合优势，从衬底到模块实现全链条布局，有效降低了生产成本，模式在比亚迪等终端厂商中得到复制，进一步推动了SiC模块价格的下降。
2025年，SiC衬底价格下降幅度预计放缓，降幅在10-20%之间，6英寸衬底有望守住2000元以上的价格底线。
8英寸衬底价格可能从当前的8000-10000元快速降至5000元以内，但受限于良率和技术成熟度，短期内难以成为市场主流。
模块价格方面，随着国产化率提升和竞争加剧，6并SiC模块价格有望进一步下探至1200-1500元区间，为下游应用提供更大成本优势。
小结
SiC市场在技术突破、产能扩张和价格下降的多重驱动下，展现出蓬勃发展的态势，短期内市场内卷和价格战加剧了行业竞争，但这也是SiC产业迈向成熟的必经之路。
淘汰阶段的到来，具备技术优势、资金实力和产业链协同能力的企业将占据主导地位，价格趋于稳定后，行业将进入高质量发展阶段。
原文标题 : 中国碳化硅市场深度分析：2025年进入洗牌阶段
